NVMFS5C430NLAFT1Gの集積回路IC NチャネルMOSFET IC SO-8FL-4のパッケージ
NVMFS5C430NLAFT1G
,NVMFS5C430NLAFT1Gの集積回路IC
,NチャネルMOSFET IC
NVMFS5C430NLAFT1Gの電子部品ICは集積回路ICを欠く
製品の説明
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プロダクト特性
| 製造業者: | onsemi |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| 技術: | Si |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| パッケージ/場合: | SO-8FL-4 |
| トランジスター極性: | N-Channel |
| チャネルの数: | 1つのチャネル |
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 40ボルト |
| ID -連続的な下水管の流れ: | 200 A |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 1.2のmOhms |
| Vgs -ゲート源の電圧: | - 20ボルト、+ 20ボルト |
| VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 2ボルト |
| Qg -ゲート充満: | 70 NC |
| 最低の実用温度: | - 55 C |
| 最高使用可能温度: | + 175 C |
| Pd -電力損失: | 110 W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 資格: | AEC-Q101 |
| 包装: | 巻き枠 |
| 包装: | テープを切りなさい |
| 包装: | MouseReel |
| ブランド: | onsemi |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 9 ns |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 180 S |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 140 ns |
| 工場パックの量: | 1500 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 31 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 15 ns |
| 単位重量: | 0.006596 oz |
会社サービス
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FAQ
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5.Can私直接支払うためか。
電子部品の価格はかなり変動し、引用語句を確認するために顧客は相談される必要がある。
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会社は第三者に回路のデッサンおよび指定モデルを表わさない機密保持の協約に署名するかもしれない。
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私達のPCB/PCBAサービスは医学を含む企業のため主に、の、家電メーターで計る/測定エネルギー自動車である。
8.Areすべての電子部品新しいおよび元を販売するか。
はい、私達の電子部品すべては真新しく、元で、第三者によってテストすることができる。
9.Whereあなたの破片をすべてからの出荷するか。
私達の破片はすべてシンセンおよび香港の私達の2つの倉庫から出荷される。